Лента новостей:
|
|
|
| Стр: 151
...
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
...
1
|
2012-10-25
Законы роста зерна
Согласно второму началу термодинамики, всякое тело стремится к наименьшему запасу энергии. Энергия, сосредоточенная в теле, может быть как тепловой, так и свободной поверхностной. В одном и том же объеме мелкие зерна имеют большую суммарную поверхность и обладают большим запасом свободной поверхностной энергии, чем крупные. |
|
2012-10-25
Зона столбчатых кристаллов
В небольших слитках и отливках в металлические формы, особенно при заливке перегретого металла, зона столбчатых кристаллов (транскристаллизации) получается обширной и может занять все сечение слитка или отливки вплоть до центра, что весьма нежелательно. |
|
2012-10-25
Решетка новой фазы
Решетка новой фазы сопрягается с решеткой центра кристаллизации подобными кристаллографическими плоскостями, параметры которых отличаются друг от друга минимально. Таким образом, чем ближе типы и параметры решеток центра кристаллизации и кристаллизующегося вещества, тем вероятнее прививающее действие этого центра. |
|
2012-10-25
Реальные процессы кристаллизации
Следует подчеркнуть, что реальные процессы кристаллизации определяются не только законами самопроизвольного зарождения центров кристаллизации и роста зерен вокруг них, на них сказываются также влияние стенок формы, их дефектов и субмикроскопические включения. |
|
2012-10-25
Зависимость скорости образования центров
Зависимость скорости образования зародышей, т. е. числа центров (ч. Ц.) и линейной скорости роста кристаллов (с. к.) от степени переохлаждения. Эта зависимость устанавливается опытным путем. Увеличение степени переохлаждения, понижающее размеры критического зародыша, уменьшает работу, необходимую для его образования, поэтому скорость зарождения, т. е. число кристаллических цетров (ч. ц.) в единицу времени в единице объема (1 см3/мин) резко увеличивается и достигает максимума. |
|
2012-10-25
Расчеты по второму уравнению Генки
Искомое нормальное напряжение и один из углов находят по условиям, что сумма горизонтальных составляющих поверхностных напряжений по прямой линии равна нулю, а точка лежит на осевой линии. Это требует численных расчетов, если решение для четырехугольника достигается конечно-разностным методом. Поясним результаты расчетов, выполненных Р. Хиллом, относительной силы волочения полосы. |
|
2012-10-24
Кристаллическая структура металлов
Обнаружение ямок (точек) травления в микроструктуре, в местах выхода дислокации на поверхность шлифа, где находится несовершенная область решетки, легче поддающаяся травлению, является также доказательством существования дислокаций как у металлов, так и у ионных кристаллов. |
|
2012-10-24
Метод выделения атомов меди на дислокациях
С помощью метода выделения атомов меди на дислокациях в кремнии удалось обнаружить в его микроструктуре источник дислокаций Франка-Рида, что было предсказано ранее теоретически. Для металлов метод выделения применяется для определения дислокаций только на поверхности микрошлифов, например для сплава алюминия с 4% меди. |
|
2012-10-23
Краевая (линейная) дислокация
Краевая (линейная) дислокация образуется следующим образом. Предположим, что к кристаллу приложено внешнее напряжение (в направлении вектора сдвига или вектора Бургерса), под действием которого произошел единичный сдвиг на одно межатомное расстояние охвативший не всю плоскость скольжения, а лишь часть ее. |
|
2012-10-23
Дислокации
В течение последних 25 лет появилось большое количество теоретических и экспериментальных работ по дислокациям; среди них выделяются труды Коттрелла, Мотта, Тейлора и Франка (Англия), Рида и Шокли (США), Фриделя (Франция) и многих ученых в других странах. |
|
| Стр: 151
...
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
...
1
|