Краевая (линейная) дислокация

Краевая (линейная) дислокация образуется следующим образом. Предположим, что к кристаллу приложено внешнее напряжение (в направлении вектора сдвига или вектора Бургерса), под действием которого произошел единичный сдвиг на одно межатомное расстояние охвативший не всю плоскость скольжения, а лишь часть ее. В остальной части плоскости скольжения сдвиг отсутствует. Граница зоны сдвига, перпендикулярная к вектору (Бургерса), является краевой, или линейной, дислокацией. Краевую дислокацию в кристалле можно представить и другим путем. Предположим, что верхняя часть кристалла, состоящего из кубов, отвечающих элементарным ячейкам его атомно-кристаллической решетки, содержит на одну атомную плоскость больше, чем нижняя часть кристалла. Тогда такая полуплоскость является лишней. Искаженная область у края этой лишней полуплоскости называется краевой, или линейной, дислокацией, которая обозначена значком. Кристаллическая решетка вокруг дислокации упруго искажена и является областью концентрации напряжения; образование такой области требует значительной затраты энергии. Однако если дислокация уже образовалась, то перемещается она сравнительно легко. Наиболее искаженная часть решетки вблизи является центром или ядром дислокации, ее ширина простирается всего на 2—5 периодов решетки, т. е. межатомных расстояний. Линия называется осью дислокации, причем длина ее, т. е. длина дислокации, может доходить до многих десятков тысяч периодов решетки. Естественно, что стандартное расположение атомов в плоскости, перпендикулярной к оси дислокации, является приближенным. Точное распределение атомов вблизи центра или ядра дислокации неизвестно.

В зависимости от положения лишней атомной полуплоскости краевые дислокации могут быть положительными или отрицательными. У положительных дислокаций лишняя атомная полуплоскость расположена выше плоскости скольжения, а у отрицательных — ниже ее. При этом положительная дислокация образуется и перемещается в атомно-кристаллической решетке слева направо. Отрицательная дислокация, наоборот, образуется и перемещается в атомно-кристаллической решетке справа налево. Дислокации противоположных знаков при значительном сближении их в решетке притягиваются и могут взаимно погашать друг друга. Наоборот, дислокации одного знака при значительном сближении их в решетке взаимно отталкиваются. Ось краевой дислокации перпендикулярна вектору сдвига, что отличает ее от другого типа дислокации — винтовой.

Дополнительная информация: металлические конструкции в целях защиты от коррозии и повышения срока эксплуатации покрываются специальными составами. Современные эмали PPG считаются одними из самых долгостойких, прочных и точно копируют цвета сходящих с конвейеров автомобилей.