Дефектное состояние слоя

В целом дефектное состояние слоя может определяться суммарным воздействием многих факторов. Вклад каждого из них должен зависеть от режима силицирования и природы насыщаемого материала. При изучении пористости диффузионных слоев не следует ограничиваться рассмотрением только причин образования пор. Во всяком пористом теле возможен и процесс их удаления — спекание. В различных условиях формирования покрытия преобладающим может оказаться один из этих процессов. Поэтому не обязательно избегать интенсивного порообразования при формировании слоя, если оно сопровождается энергичным спеканием. В то же время следует выбирать такие режимы силицирования, которые создавали бы структуру слоя, облегчающую процессы спекания.

Пористость силицированных слоев изменяется в широких пределах в зависимости от режима и условий насыщения. Существует много исследований пористости слоев, полученных в условиях печного нагрева. В этих работах отмечена роль агрегатного состояния и химического состава насыщающей среды в получении малопористых или беспористых покрытий, изучено влияние состава насыщаемого материала, температуры процесса и времени выдержки на пористость силицированного слоя. Пористость слоев анализировали визуально по фотографиям микрошлифов. Отсутствие количественных оценок пористости ограничивало возможности анализа закономерностей порообразования в слое, однако, при использовании фрезерных станков, подробнее о которых можно узнать по адресу http://bmt.by/category/frezernye-stanki/, столь детальный анализ металла не нужен.

Метод количественной металлографии в совокупности с анализом формы и расположения пор в слое позволил обнаружить сложную зависимость пористости силицированного слоя от режимов силицирования. Наблюдением при оптических увеличениях установлено, что при низких (около 900° С) температурах силицирования преобладают поры вытянутой формы. Они имеют вид трещин, направленных перпендикулярно поверхности образца, и проходят через весь слой, связывая металлическую поверхность с газовой средой. Эти поры располагаются преимущественно по границам растущих кристаллов. Внешние признаки их диффузионного происхождения отсутствуют, хотя присутствие диффузионных пор неизбежно.